발명의 명칭 :
자성체와 BiSb의 적층 구조의 제조 방법, 자기 저항 메모리, 순 스핀 주입원
| 출원인 | 고쿠리츠다이가쿠호진도쿄가가쿠다이가쿠 | ||
|---|---|---|---|
| 출원번호 | 1020207007204 | 출원일 | 2018.09.14 |
| 후속절차: 마감일 | 발명자 | 팜 남 하이|응위엔 후인 두이 캉 | |
| 이전절차 : 일자 | 이전절차 경과일 | ||
| 최근절차 : 일자 | |||
| 현재상태 | |||
발명의 명칭 :
| 출원인 | 고쿠리츠다이가쿠호진도쿄가가쿠다이가쿠 | ||
|---|---|---|---|
| 출원번호 | 1020207007204 | 출원일 | 2018.09.14 |
| 후속절차: 마감일 | 발명자 | 팜 남 하이|응위엔 후인 두이 캉 | |
| 이전절차 : 일자 | 이전절차 경과일 | ||
| 최근절차 : 일자 | |||
| 현재상태 | |||